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      產品圖片
      BBO
            BBO晶體(β相偏硼酸鋇晶體,β-BaB2O4)可透過波段范圍寬(190—3500nm),具有高損傷域值,光學均勻性好,在飛秒激光方面有著廣泛的應用。
      • 詳情介紹
      • 標準產品
      • 基本性質
      • 山東辰晶光電的BBO晶體優勢:

            ● 可實現相位匹配的波段范圍寬(409.6-3500nm);
            ● 可透過波段范圍寬(190-3500nm);
            ● 倍頻轉換效率高(相當于KDP晶體的6倍);
            ● 光學均勻性好(δn≈10-6/cm);
            ● 高損傷閾值(100ps脈寬的1064nm10GW/cm2);
            ●
         溫度接收角寬(55℃左右)。


        BBO晶體的主要應用:
            ● Nd:YAG和Nd:YLF激光的二、三、四、五倍頻;
            ● 染料激光的倍頻,三倍頻和混頻;
            ● Ti:Sapphire和Alexandrite激光的二、三、四倍頻;
            ● 光學參量放大器(OPA)與光學參量振蕩器(OPO);
            ● 氬離子,紅寶石和Cu蒸汽激光器的倍頻;
            ● 在全固
        態可調激光,超快脈沖激光,深紫外激光等高、精、尖激光技術領域的研發領域 ;

            ● 高頻電光調Q晶體


      • 尺寸公差

        (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L+0.5/-0.1mm) (L≥2.5mm) 
        (W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L+0.1/-0.1mm) (L<2.5mm)

        角度公差 

        Δθ≤0.25°  Δφ≤0.25°

        通過口徑

        90% of central area

        倒邊

        ≤ [email protected]

        倒角

        ≤ 0.1mm

        抗損閾值
        [GW/cm2 ]

        > 1 TEM00,10ns,10HZ(uncoated)
        > 0.5 for 1064nm,TEM00,10ns,10Hz(AR-coated)
        > 0.3 for 532nm,TEM00,10ns,10Hz(AR-coated) 

        平面度

        [email protected]

        平行度

        < 20"

        垂直度

        ≤ 5' 

        光潔度[S/D]

        < 10/5

        波前畸變

        [email protected]

        內部質量

        50mW綠光檢測無可見散射路徑



      • 透過波段

        190nm-3500nm

        可實現相位匹配的波段范圍寬

        409.nm6-350nm(Type I);525nm-3500nm(Type II)

        熱光系數

        dno/dT=-16.6×10-6; dne/dT=-9.3×10-6 

        吸收系數

        <0.1%/cm @1064nm; <1%/cm @532nm

        接受角

        0.8 mrad·cm-1   (θ, Type I,1064 SHG)   
        1.27 mrad·cm-1 (θ, Type II, 1064 SHG)

        溫度接收角寬

        55 ℃·cm-1

        光譜接收

        1.1 nm·cm-1

        走離角

        2.7° (Type I, 1064 SHG); 3.2° (Type II, 1064 SHG)

        非線性系數

        deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-d22sin3Φ)cosθ
        deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ

        非線性磁化系數

        d11=5.8×d36 (KDP); d31=0.05×d11; d22<0.05×d11

        Sellmeier方程 (λ in μm )

        no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2
        ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2

        電光系數

        r22=2.7 pm/V

        半波電壓

        7 kV (@1064 nm, 3×3×20 mm3)

        電阻率

        >1011 Ω·cm

        相對介電常數

        εs11/εo:6.7; εs33/εo:8.1; Tan δ<0.001

        透過波段

        190nm-3500nm

        可實現相位匹配的波段范圍寬

        409.nm6-350nm(Type I);525nm-3500nm(Type II)

        熱光系數

        dno/dT=-16.6×10-6; dne/dT=-9.3×10-6 

        吸收系數

        <0.1%/cm @1064nm; <1%/cm @532nm

        接受角

        0.8 mrad·cm-1   (θ, Type I,1064 SHG)   
        1.27 mrad·cm-1 (θ, Type II, 1064 SHG)

        溫度接收角寬

        55 ℃·cm-1

        光譜接收

        1.1 nm·cm-1

        走離角

        2.7° (Type I, 1064 SHG); 3.2° (Type II, 1064 SHG)

        非線性系數

        deff (I)=d31sinθ+(d11cosΦ-d22sin3Φ)cosθ
        deff (II)=(d11sin3Φ+d22cos3Φ)cos2θ

        非線性磁化系數

        d11=5.8×d36 (KDP); d31=0.05×d11; d22<0.05×d11

        Sellmeier方程 (λ in μm )

        no2=2.7359+0.01878 / (λ2-0.01822) -0.01354 λ2
        ne2=2.3753+0.01224 / (λ2-0.01667) -0.01516 λ2

        電光系數

        r22=2.7 pm/V

        半波電壓

        7 kV (@1064 nm, 3×3×20 mm3)

        電阻率

        >1011 Ω·cm

        相對介電常數

        εs11/εo:6.7; εs33/εo:8.1; Tan δ<0.001


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