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      產品圖片
      DKDP開關
             磷酸二氘鉀DKDP(KD*P)晶體光學損耗低,消光比高,電光性能好,通常利用DKDP晶體的縱向效應制成電光調Q開關,主要適用于低重復頻率的脈沖固體激光器中。(包括:美容,?醫療,科研,軍事和航天等激光領域。)
      • 詳情介紹
      • 標準產品
      • 基本性質
      • 山東辰晶光電致力于高質量電光調Q開關的研發與生產,可根據客戶不同需求定制開關,如高低溫環境下應用的溫控調Q開關等。


        山東辰晶光電DKDP系列開關的產品特點:


            ● 高含氘量:>98%

            ● 高消光比 :5000:1

            ● 低電容 :3-5pF

            ● 高透過率:>99%

            ● 高損傷閾值:500MW/cm2

            ● 設計緊湊,便于調節

            ● 良好的密封,延長開關的工作壽命


      • 山東辰晶光電科技有限公司電光開關基礎型號:


        型號

        外殼尺寸公差

        (0~-0.1)×(±0.3mm)

        通光孔徑

        T%

        消光比

        1/4波電壓

        波前畸變

        電容

        QI-8Ga

        Ф19×24

        8

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <4.5pF

        QI-8Gb

        Ф19×24.7

        8

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <4.5pF

        QI-8Gc

        Ф19×27.2

        8

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <4.5pF

        QI-8GPa

        Ф20×29

        8

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <4.5pF

        QT-8GPa

        Ф28×30

        8

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <4.5pF

        QL-10DPa

        Ф32×40

        10

        >98%

        >5000:1

        3400V+/-100V

        <λ/8

        <5pF

        QL-10DPb

        Ф25×37

        10

        >98%

        >5000:1

        3400V+/-100V

        <λ/8

        <5pF

        QI-10Ga

        Ф25.4×32

        10

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <5pF

        QI-10Gb

        Ф21×28.2

        10

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <5pF

        QI-10Gc

        Ф25.4×33

        10

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <5pF

        QI-10GPa

        Ф25.4×39

        10

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <5pF

        QL-11Da

        Ф32×35

        11

        >98%

        >5000:1

        3400V+/-100V

        <λ/8

        <5pF

        QI-12GPa

        Ф28×33

        12

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <6.5pF

        QT-12GPa

        Ф32.5×50

        12

        >98%

        >5000:1

        3200V+/-100V

        <λ/8

        <4.5pF

        抗損閾值:》500MW/cm2,10ns,10Hz @1064nm   

      • 暫無
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